BSO613SPVGXUMA1
Número de Producto del Fabricante:

BSO613SPVGXUMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

BSO613SPVGXUMA1-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 8-SOIC
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 3.44A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8-6

Inventario:

22440 Pcs Nuevos Originales En Stock
12818014
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

BSO613SPVGXUMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.44A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
130mOhm @ 3.44A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
875 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-DSO-8-6
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
BSO613

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SP005353854
448-BSO613SPVGXUMA1DKR
448-BSO613SPVGXUMA1CT
448-BSO613SPVGXUMA1TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IRFR5410TRR

MOSFET P-CH 100V 13A DPAK

epc

EPC2016C

GANFET N-CH 100V 18A DIE

epc

EPC2010

GANFET N-CH 200V 12A DIE

rohm-semi

RSJ800N06TL

MOSFET N-CH 60V 80A LPTS