Número de Producto del Fabricante:
BSP123L6327HTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSP123L6327HTSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 370mA (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventario:
12800677
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ENVIAR
BSP123L6327HTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
370mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6Ohm @ 370mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.8V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
70 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.79W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
BSP123INCT-DG
BSP123L6327HTSA1DKR
BSP123
BSP123INTR
BSP123INDKR-DG
BSP123INTR-DG
BSP123L6327HTSA1TR
BSP123 L6327-DG
BSP123L6327-DG
BSP123L6327INCT-DG
BSP123L6327
BSP123L6327XT
BSP123L6327INDKR-DG
BSP123L6327INCT
BSP123L6327INDKR
BSP123L6327INTRINACTIVE
BSP123INCT
BSP123L6327INCTINACTIVE
BSP123 L6327
BSP123L6327TR
SP000089202
BSP123L6327HTSA1CT
BSP123L6327TR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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