BSP295L6327HTSA1
Número de Producto del Fabricante:

BSP295L6327HTSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

BSP295L6327HTSA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223-4
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21

Inventario:

12829735
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

BSP295L6327HTSA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
300mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.8V @ 400µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
368 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223-4-21
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
BSP295L6327
BSP295L6327INTR-DG
BSP295L6327INDKR-DG
BSP295 L6327
BSP295L6327INTR
BSP295L6327HTSA1CT
BSP295L6327HTSA1DKR
BSP295L6327XT
BSP295 L6327-DG
2156-BSP295L6327HTSA1
BSP295L6327HTSA1TR
IFEINFBSP295L6327HTSA1
BSP295L6327INDKR
SP000089210
BSP295L6327INCT-DG
BSP295L6327INCT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
BSP295H6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
943
NÚMERO DE PIEZA
BSP295H6327XTSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.31
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
DMN6068SE-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
18062
NÚMERO DE PIEZA
DMN6068SE-13-DG
PRECIO UNITARIO
0.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IRLL014TRPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
15748
NÚMERO DE PIEZA
IRLL014TRPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IRLL014NTRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
33778
NÚMERO DE PIEZA
IRLL014NTRPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.22
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
nexperia

PMV25ENEAR

MOSFET N-CH 30V 5.5A TO236AB

nexperia

BUK7M15-40HX

MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33

nexperia

PSMN050-80BS,118

MOSFET N-CH 80V 22A D2PAK

nexperia

BUK663R5-30C,118

MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK