Número de Producto del Fabricante:
BSP317PH6327XTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSP317PH6327XTSA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Descripción Detallada:
P-Channel 250 V 430mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventario:
8987 Pcs Nuevos Originales En Stock
12856086
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BSP317PH6327XTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
430mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4Ohm @ 430mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 370µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
262 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
BSP317
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
BSP317PH6327XTSA1CT
BSP317PH6327XTSA1TR
BSP317PH6327XTSA1DKR
SP001058758
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NTD60N03T4
MOSFET N-CH 28V 60A DPAK
NTMFS4C032NT3G
MOSFET N-CH 30V 13A/38A 5DFN
NTD6416ANT4G
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
