Número de Producto del Fabricante:
BSP613PL6327HUSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSP613PL6327HUSA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 2.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventario:
12802477
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ENVIAR
BSP613PL6327HUSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
130mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
875 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
BSP613P L6327
BSP613PL6327INTR
BSP613PL6327XT
BSP613PL6327HUSA1DKR
BSP613PL6327INDKR-DG
BSP613PL6327
BSP613PL6327INCT-DG
BSP613P L6327-DG
BSP613PL6327INCT
BSP613PL6327HUSA1TR
BSP613PL6327INDKR
BSP613PL6327HUSA1CT
BSP613PL6327INTR-DG
SP000089224
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
BSP613PH6327XTSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
6365
NÚMERO DE PIEZA
BSP613PH6327XTSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.47
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
ZXMP6A17GTA
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
63041
NÚMERO DE PIEZA
ZXMP6A17GTA-DG
PRECIO UNITARIO
0.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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