Número de Producto del Fabricante:
BSR316PH6327XTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSR316PH6327XTSA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 360mA (Ta) 500mW (Tc) Surface Mount PG-SC59-3
Inventario:
14371 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801621
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ENVIAR
BSR316PH6327XTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
360mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 360mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 170µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
165 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SC59-3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
BSR316
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SP001101034
BSR316PH6327XTSA1-DG
2832-BSR316PH6327XTSA1
BSR316PH6327XTSA1CT
BSR316PH6327XTSA1TR
BSR316PH6327XTSA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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