BSS209PWH6327XTSA1
Número de Producto del Fabricante:

BSS209PWH6327XTSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

BSS209PWH6327XTSA1-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 630mA (Tc) 300mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323

Inventario:

76915 Pcs Nuevos Originales En Stock
12843047
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

BSS209PWH6327XTSA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
630mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
550mOhm @ 630mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 3.5µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
115 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT323
Paquete / Caja
SC-70, SOT-323
Número de producto base
BSS209

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
BSS209PWH6327XTSA1TR
BSS209PWH6327XTSA1CT
SP000750498
BSS209PWH6327XTSA1DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

NDF02N60ZG

MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP

onsemi

NTJS4405NT1

MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6

onsemi

NVD5117PLT4G

MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK

onsemi

NDD60N550U1-1G

MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK