Número de Producto del Fabricante:
BSS209PWH6327XTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSS209PWH6327XTSA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 630mA (Tc) 300mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323
Inventario:
76915 Pcs Nuevos Originales En Stock
12843047
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BSS209PWH6327XTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
630mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
550mOhm @ 630mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 3.5µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.3 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
115 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT323
Paquete / Caja
SC-70, SOT-323
Número de producto base
BSS209
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
BSS209PWH6327XTSA1TR
BSS209PWH6327XTSA1CT
SP000750498
BSS209PWH6327XTSA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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