Número de Producto del Fabricante:
BSS306NH6327XTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSS306NH6327XTSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventario:
102998 Pcs Nuevos Originales En Stock
12843804
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BSS306NH6327XTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
57mOhm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 11µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.5 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
275 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
BSS306
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
BSS306N H6327-DG
BSS306NH6327XTSA1TR
BSS306NH6327
BSS306N H6327DKR-DG
BSS306N H6327CT
BSS306NH6327XTSA1CT
SP000928940
BSS306N H6327DKR
BSS306NH6327XTSA1DKR
BSS306N H6327
BSS306N H6327CT-DG
BSS306N H6327TR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BSC032N03SG
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
AUIRLR014NTRL
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
SCH1337-TL-H
MOSFET P-CH 30V 2A 6SCH
