Número de Producto del Fabricante:
BSS806NEH6327XTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSS806NEH6327XTSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventario:
71218 Pcs Nuevos Originales En Stock
12802414
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ENVIAR
BSS806NEH6327XTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 2.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
57mOhm @ 2.3A, 2.5V
vgs(th) (máx.) @ id
750mV @ 11µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.7 nC @ 2.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
529 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT23
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
BSS806
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
BSS806NEH6327XTSA1CT
SP000999336
BSS806NEH6327XTSA1DKR
BSS806NEH6327XTSA1-DG
BSS806NEH6327XTSA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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