Número de Producto del Fabricante:
BSS87H6327FTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSS87H6327FTSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
Descripción Detallada:
N-Channel 240 V 260mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89-4-2
Inventario:
25607 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801056
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BSS87H6327FTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
240 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
260mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6Ohm @ 260mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.8V @ 108µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
97 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT89-4-2
Paquete / Caja
TO-243AA
Número de producto base
BSS87
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
BSS87H6327FTSA1DKR
BSS87H6327FTSA1TR
BSS87H6327FTSA1CT
SP001047646
BSS87H6327FTSA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BSR802NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
IPI320N20N3GAKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
