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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
BSV236SPH6327XTSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BSV236SPH6327XTSA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 560mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventario:
13052 Pcs Nuevos Originales En Stock
12838961
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ENVIAR
BSV236SPH6327XTSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
175mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 8µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.7 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
228 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
560mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT363-PO
Paquete / Caja
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Número de producto base
BSV236
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
BSV236SPH6327XTSA1
Hoja de datos HTML
BSV236SPH6327XTSA1-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
BSV236SPH6327XT
BSV236SP H6327
SP000917672
BSV236SP H6327TR-DG
BSV236SP H6327DKR
BSV236SP H6327CT-DG
BSV236SPH6327XTSA1CT
BSV236SP H6327DKR-DG
BSV236SP H6327-DG
BSV236SP H6327CT
BSV236SPH6327
BSV236SPH6327XTSA1DKR
BSV236SPH6327XTSA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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