BSZ0902NSATMA1

Número de Producto del Fabricante:

BSZ0902NSATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

BSZ0902NSATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON

Descripción Detallada:

N-Channel 30 V 19A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL

Inventario:

99855 Pcs Nuevos Originales En Stock

12800201

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ENVIAR

BSZ0902NSATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalaje

Tape & Reel (TR)

Serie

OptiMOS™

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

19A (Ta), 40A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

2.6mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

26 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1700 pF @ 15 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2.1W (Ta), 48W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

PG-TSDSON-8-FL

Paquete / Caja

8-PowerTDFN

Número de producto base

BSZ0902

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

BSZ0902NSATMA1-DG

Información Adicional

Paquete Estándar

5,000

Otros nombres

BSZ0902NS

BSZ0902NS-DG

BSZ0902NSDKR-DG

SP000854386

BSZ0902NSATMA1CT

INFINFBSZ0902NSATMA1

BSZ0902NSCT

BSZ0902NSATMA1DKR

BSZ0902NSDKR

BSZ0902NSTR-DG

BSZ0902NSATMA1TR

BSZ0902NSCT-DG

2156-BSZ0902NSATMA1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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