Número de Producto del Fabricante:
BTS282ZE3180AATMA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
BTS282ZE3180AATMA2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 49 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-1
Inventario:
12799743
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ENVIAR
BTS282ZE3180AATMA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
TEMPFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
49 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 240µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
232 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Función FET
Temperature Sensing Diode
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7-1
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
BTS282
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
INFINFBTS282ZE3180AATMA2
BTS282ZE3180AATMA2DKR
BTS282ZE3180AATMA2-DG
SP000910848
2156-BTS282ZE3180AATMA2
BTS282ZE3180AATMA2CT
BTS282ZE3180AATMA2TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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