Número de Producto del Fabricante:
FF8MR12W2M1B11BOMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
FF8MR12W2M1B11BOMA1-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 150A (Tj) Chassis Mount AG-EASY2BM-2
Inventario:
12801513
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ENVIAR
FF8MR12W2M1B11BOMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolSiC™+
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
150A (Tj)
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
vgs(th) (máx.) @ id
5.55V @ 60mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
372nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11000pF @ 800V
Potencia - Máx.
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
AG-EASY2BM-2
Número de producto base
FF8MR12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
15
Otros nombres
SP001617622
2156-FF8MR12W2M1B11BOMA1
INFINFFF8MR12W2M1B11BOMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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