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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
FS03MR12A6MA1LBBPSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
FS03MR12A6MA1LBBPSA1-DG
Descripción:
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 400A Chassis Mount AG-HYBRIDD-2
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12996836
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ENVIAR
FS03MR12A6MA1LBBPSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tray
Serie
HybridPACK™
Estado del producto
Active
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
400A
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 400A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
5.55V @ 240mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1320nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
42500pF @ 600V
Potencia - Máx.
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
AG-HYBRIDD-2
Número de producto base
FS03MR12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
FS03MR12A6MA1LBBPSA1
Hoja de datos HTML
FS03MR12A6MA1LBBPSA1-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
6
Otros nombres
448-FS03MR12A6MA1LBBPSA1
SP002725554
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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