Número de Producto del Fabricante:
IAUA180N08S5N026AUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IAUA180N08S5N026AUMA1-DG
Descripción:
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 180A (Tj) 179W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-5-4
Inventario:
1570 Pcs Nuevos Originales En Stock
12973774
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ENVIAR
IAUA180N08S5N026AUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.6mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5980 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
179W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-5-4
Paquete / Caja
5-PowerSFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
SP005423387
448-IAUA180N08S5N026AUMA1DKR
448-IAUA180N08S5N026AUMA1CT
448-IAUA180N08S5N026AUMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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