Número de Producto del Fabricante:
IAUC120N06S5N017ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IAUC120N06S5N017ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 120A (Tj) 167W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-43
Inventario:
8458 Pcs Nuevos Originales En Stock
12978487
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ENVIAR
IAUC120N06S5N017ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tj)
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.4V @ 94µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
95.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6952 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-43
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
IAUC120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-IAUC120N06S5N017ATMA1TR
448-IAUC120N06S5N017ATMA1DKR
448-IAUC120N06S5N017ATMA1CT
SP003244386
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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