Número de Producto del Fabricante:
IAUC26N10S5L245ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IAUC26N10S5L245ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 26A (Tj) 40W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
Inventario:
12973001
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IAUC26N10S5L245ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
26A (Tj)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
24.5mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 13µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
762 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-33
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
448-IAUC26N10S5L245ATMA1CT
448-IAUC26N10S5L245ATMA1TR
448-IAUC26N10S5L245ATMA1DKR
SP005423082
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
PJQ2405-AU_R1_000A1
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJA3415AE-AU_R1_000A1
SOT-23, MOSFET
IRFR9120TRLPBF-BE3
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
