Número de Producto del Fabricante:
IAUCN04S6N013TATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IAUCN04S6N013TATMA1-DG
Descripción:
MOSFET_(20V 40V)
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 230A (Tc) 133W (Tc) Surface Mount PG-LHDSO-10-1
Inventario:
13000545
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ENVIAR
IAUCN04S6N013TATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 6
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
230A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.32mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 60µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4810 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
133W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-LHDSO-10-1
Paquete / Caja
10-LSOP (0.216", 5.48mm Width) Exposed Pad
Número de producto base
IAUCN04
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
SP005616773
448-IAUCN04S6N013TATMA1CT
448-IAUCN04S6N013TATMA1TR
448-IAUCN04S6N013TATMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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