Número de Producto del Fabricante:
IAUS200N08S5N023ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IAUS200N08S5N023ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
Inventario:
552 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801006
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ENVIAR
IAUS200N08S5N023ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 130µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7670 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOG-8-1
Paquete / Caja
8-PowerSMD, Gull Wing
Número de producto base
IAUS200
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,800
Otros nombres
IAUS200N08S5N023ATMA1DKR
IAUS200N08S5N023ATMA1CT
SP001792362
IAUS200N08S5N023ATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IAUS300N08S5N012ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2284
NÚMERO DE PIEZA
IAUS300N08S5N012ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.92
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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