Número de Producto del Fabricante:
IAUT150N10S5N035ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IAUT150N10S5N035ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 150A 8HSOF
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 150A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventario:
7538 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801563
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ENVIAR
IAUT150N10S5N035ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™-5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
150A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 110µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6110 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
166W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Número de producto base
IAUT150
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
IAUT150N10S5N035
IAUT150N10S5N035ATMA1TR
IAUT150N10S5N035DKR
IAUT150N10S5N035TR
SP001416126
IFEINFIAUT150N10S5N035ATMA1
IAUT150N10S5N035CT
IAUT150N10S5N035ATMA1DKR
IAUT150N10S5N035ATMA1CT
2156-IAUT150N10S5N035ATMA1
IAUT150N10S5N035ATMA1-DG
IAUT150N10S5N035DKR-DG
IAUT150N10S5N035CT-DG
IAUT150N10S5N035TR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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