Número de Producto del Fabricante:
IAUT165N08S5N029ATMA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IAUT165N08S5N029ATMA2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 165A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventario:
1976 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799541
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ENVIAR
IAUT165N08S5N029ATMA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
165A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 108µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6370 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-8-1
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Número de producto base
IAUT165
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
IAUT165N08S5N029ATMA2-DG
IAUT165N08S5N029ATMA2TR
IAUT165N08S5N029ATMA2DKR
INFINFIAUT165N08S5N029ATMA2
IAUT165N08S5N029
IAUT165N08S5N029CT
2156-IAUT165N08S5N029ATMA2
IAUT165N08S5N029CT-DG
IAUT165N08S5N029TR
IAUT165N08S5N029DKR
IAUT165N08S5N029ATMA2CT
IAUT165N08S5N029TR-DG
SP001585162
IAUT165N08S5N029DKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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