IGLD60R070D1AUMA1
Número de Producto del Fabricante:

IGLD60R070D1AUMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IGLD60R070D1AUMA1-DG

Descripción:

GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1

Inventario:

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IGLD60R070D1AUMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
CoolGaN™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (máx.)
-10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
380 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-LSON-8-1
Paquete / Caja
8-LDFN Exposed Pad
Número de producto base
IGLD60

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
IGLD60R070D1AUMA1
Hoja de datos HTML
IGLD60R070D1AUMA1-DG
Documentos de confiabilidad
Realiability and Qualification of CoolGaN
Resumen del producto
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Brief

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SP001705420
IGLD60R070D1AUMA1DKR
IGLD60R070D1AUMA1TR
2156-IGLD60R070D1AUMA1TR
IGLD60R070D1AUMA1CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IGLD60R070D1AUMA3
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1584
NÚMERO DE PIEZA
IGLD60R070D1AUMA3-DG
PRECIO UNITARIO
7.39
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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