Número de Producto del Fabricante:
IGLD60R190D1AUMA3
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IGLD60R190D1AUMA3-DG
Descripción:
GAN HV
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1
Inventario:
2344 Pcs Nuevos Originales En Stock
12965865
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ENVIAR
IGLD60R190D1AUMA3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolGaN™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
1.6V @ 960µA
Vgs (máx.)
-10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
157 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-LSON-8-1
Paquete / Caja
8-LDFN Exposed Pad
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
448-IGLD60R190D1AUMA3DKR
448-IGLD60R190D1AUMA3TR
448-IGLD60R190D1AUMA3CT
SP005557217
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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