Número de Producto del Fabricante:
IGT60R070D1E8220ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IGT60R070D1E8220ATMA1-DG
Descripción:
GAN HV
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Inventario:
12965871
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ENVIAR
IGT60R070D1E8220ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolGaN™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (máx.)
-10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
380 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOF-8-3
Paquete / Caja
8-PowerSFN
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Otros nombres
448-IGT60R070D1E8220ATMA1
SP001688772
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IGT60R070D1ATMA4
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3044
NÚMERO DE PIEZA
IGT60R070D1ATMA4-DG
PRECIO UNITARIO
7.24
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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