Número de Producto del Fabricante:
IMBG120R350M1HXTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IMBG120R350M1HXTMA1-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Inventario:
1518 Pcs Nuevos Originales En Stock
12945954
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ENVIAR
IMBG120R350M1HXTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolSiC™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
468mOhm @ 2A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5.7V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.9 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+18V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
196 pF @ 800 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7-12
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
IMBG120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-IMBG120R350M1HXTMA1TR
448-IMBG120R350M1HXTMA1CT
SP004463802
448-IMBG120R350M1HXTMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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