Número de Producto del Fabricante:
IMW120R350M1HXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IMW120R350M1HXKSA1-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 4.7A (Tc) 60W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventario:
1216 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799581
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ENVIAR
IMW120R350M1HXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolSiC™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V, 18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
455mOhm @ 2A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
5.7V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.3 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+23V, -7V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
182 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-3-41
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IMW120
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
SP001808376
2156-IMW120R350M1HXKSA1-448
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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