Número de Producto del Fabricante:
IPA028N08N3GXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPA028N08N3GXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 80V 89A TO220-FP
Descripción Detallada:
N-Channel 80 V 89A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventario:
12851600
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ENVIAR
IPA028N08N3GXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
89A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.8mOhm @ 89A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 270µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14200 pF @ 40 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPA028
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
INFINFIPA028N08N3GXKSA1
IPA028N08N3 G-DG
2156-IPA028N08N3GXKSA1
IPA028N08N3G
IPA028N08N3 G
SP000446770
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK100A08N1,S4X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
TK100A08N1,S4X-DG
PRECIO UNITARIO
1.57
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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