Número de Producto del Fabricante:
IPA600N25NM3SXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPA600N25NM3SXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 250V 15A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 250 V 15A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Inventario:
404 Pcs Nuevos Originales En Stock
13276417
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPA600N25NM3SXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™3
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 89µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2300 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220 Full Pack
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPA600
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
2156-IPA600N25NM3SXKSA1-448
SP001953008
448-IPA600N25NM3SXKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPAN60R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
IPLK80R1K2P7ATMA1
MOSFET 800V TDSON-8
BSC096N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
