Número de Producto del Fabricante:
IPA60R170CFD7XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPA60R170CFD7XKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventario:
255 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800854
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPA60R170CFD7XKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™ CFD7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
170mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 300µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1199 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
26W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPA60R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
2156-IPA60R170CFD7XKSA1
IPA60R170CFD7
SP001617978
INFINFIPA60R170CFD7XKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPP052N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
IPB70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
IPB80N06S2LH5ATMA4
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
