IPA65R150CFDXKSA2
Número de Producto del Fabricante:

IPA65R150CFDXKSA2

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPA65R150CFDXKSA2-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 34.7W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Inventario:

500 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799484
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IPA65R150CFDXKSA2 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™ CFD2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
150mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 900µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2340 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
34.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPA65R

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
500
Otros nombres
SP001977012
448-IPA65R150CFDXKSA2
IPA65R150CFDXKSA2-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

BSP149 E6327

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

infineon-technologies

BSC059N03S G

MOSFET N-CH 30V 17.5A/73A TDSON

infineon-technologies

BSZ110N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON

infineon-technologies

BSP318S E6327

MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4