Número de Producto del Fabricante:
IPAN60R180P7SXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPAN60R180P7SXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET 600V TO220 FULL PACK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventario:
468 Pcs Nuevos Originales En Stock
12840944
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPAN60R180P7SXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 280µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1081 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
26W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPAN60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
2156-IPAN60R180P7SXKSA1-448
SP002367740
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
NTD4804N-1G
MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A IPAK
NVTR4502PT1G
MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3
NTR4171PT1G
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3
