Número de Producto del Fabricante:
IPAN60R280PFD7SXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPAN60R280PFD7SXKSA1-DG
Descripción:
CONSUMER PG-TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventario:
2892 Pcs Nuevos Originales En Stock
12997179
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPAN60R280PFD7SXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
280mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 180µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
656 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
24W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPAN60R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP005354004
448-IPAN60R280PFD7SXKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IMBG65R030M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
IPF017N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
IXFT70N65X3HV
MOSFET 70A 650V X3 TO268HV
