Número de Producto del Fabricante:
IPAW60R280CEXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPAW60R280CEXKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 19.3A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage
Inventario:
12802994
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ENVIAR
IPAW60R280CEXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
19.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 430µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
950 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Variant
Número de producto base
IPAW60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
450
Otros nombres
INFINFIPAW60R280CEXKSA1
SP001391614
2156-IPAW60R280CEXKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPAW60R280P7SXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IPAW60R280P7SXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.72
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
R6015ENX
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
23
NÚMERO DE PIEZA
R6015ENX-DG
PRECIO UNITARIO
1.61
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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