Número de Producto del Fabricante:
IPB009N03LGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB009N03LGATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventario:
12800557
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ENVIAR
IPB009N03LGATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.95mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
227 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
25000 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7-3
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número de producto base
IPB009
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB009N03LGATMA1TR
SP000394657
IPB009N03L GDKR-DG
IPB009N03LGATMA1CT
IPB009N03L GTR
IPB009N03L GCT-DG
IPB009N03L G-DG
IPB009N03L GTR-DG
IPB009N03L G
IPB009N03LG
2156-IPB009N03LGATMA1
IPB009N03L GCT
IPB009N03L GDKR
IPB009N03LGATMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SQM200N04-1M7L_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SQM200N04-1M7L_GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.41
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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