Número de Producto del Fabricante:
IPB011N04NF2SATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB011N04NF2SATMA1-DG
Descripción:
TRENCH <= 40V
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 43A (Ta), 201A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
733 Pcs Nuevos Originales En Stock
12991543
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ENVIAR
IPB011N04NF2SATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
StrongIRFET™2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
43A (Ta), 201A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.15mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.4V @ 249µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
315 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15000 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB011
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
SP005633182
448-IPB011N04NF2SATMA1TR
448-IPB011N04NF2SATMA1DKR
448-IPB011N04NF2SATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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