Número de Producto del Fabricante:
IPB020N04NGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB020N04NGATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 140A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventario:
3448 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799769
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ENVIAR
IPB020N04NGATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
140A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 95µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9700 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7-3
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número de producto base
IPB020
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB020N04NGATMA1TR
2156-IPB020N04NGATMA1
IPB020N04N GDKR-DG
IFEINFIPB020N04NGATMA1
IPB020N04NGATMA1DKR
IPB020N04N GCT
IPB020N04N GDKR
IPB020N04N GTR-DG
IPB020N04NG
SP000359157
IPB020N04NGATMA1CT
IPB020N04N GCT-DG
IPB020N04N G-DG
IPB020N04N G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDB024N04AL7
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
29849
NÚMERO DE PIEZA
FDB024N04AL7-DG
PRECIO UNITARIO
2.73
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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