IPB034N06N3GATMA2
Número de Producto del Fabricante:

IPB034N06N3GATMA2

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPB034N06N3GATMA2-DG

Descripción:

TRENCH 40<-<100V
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3

Inventario:

12991526
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ENVIAR

IPB034N06N3GATMA2 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™3
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 93µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11000 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
167W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7-3
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-IPB034N06N3GATMA2TR
SP005448068

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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