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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IPB065N15N3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB065N15N3GATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventario:
3304 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800644
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ENVIAR
IPB065N15N3GATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
130A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 270µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7300 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número de producto base
IPB065
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IPB065N15N3GATMA1
Hoja de datos HTML
IPB065N15N3GATMA1-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP000521724
IPB065N15N3GATMA1TR
IPB065N15N3 GCT
IPB065N15N3 GDKR
IPB065N15N3 GCT-DG
IPB065N15N3 GTR-DG
IPB065N15N3GATMA1DKR
2156-IPB065N15N3GATMA1TR
IPB065N15N3GATMA1CT
IPB065N15N3 G
IPB065N15N3G
IPB065N15N3 G-DG
IPB065N15N3 GDKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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