Número de Producto del Fabricante:
IPB110N20N3LFATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB110N20N3LFATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 88A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
526 Pcs Nuevos Originales En Stock
12804379
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ENVIAR
IPB110N20N3LFATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 3
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
88A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11mOhm @ 88A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.2V @ 260µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
650 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB110
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP001503864
IPB110N20N3LFATMA1DKR
IPB110N20N3LFATMA1TR
IPB110N20N3LFATMA1CT
IPB110N20N3LFATMA1-DG
2156-IPB110N20N3LFATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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