Número de Producto del Fabricante:
IPB50CN10NGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB50CN10NGATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
12799914
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ENVIAR
IPB50CN10NGATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
50mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 20µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1090 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
44W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP000277696
IPB50CN10N G
INFINFIPB50CN10NGATMA1
IPB50CN10NGATMA1TR
IPB50CN10N G-DG
2156-IPB50CN10NGATMA1-ITTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STB30NF10T4
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
971
NÚMERO DE PIEZA
STB30NF10T4-DG
PRECIO UNITARIO
0.66
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
PHB27NQ10T,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
7068
NÚMERO DE PIEZA
PHB27NQ10T,118-DG
PRECIO UNITARIO
0.55
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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