Número de Producto del Fabricante:
IPB50N12S3L15ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB50N12S3L15ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL_100+
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 50A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
12800184
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ENVIAR
IPB50N12S3L15ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
15.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 60µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4180 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB50N12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
INFINFIPB50N12S3L15ATMA1
SP001398602
2156-IPB50N12S3L15ATMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFA110N15T2-TRL
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFA110N15T2-TRL-DG
PRECIO UNITARIO
3.01
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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