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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IPB60R190C6ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB60R190C6ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
1265 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800409
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ENVIAR
IPB60R190C6ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ C6
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 630µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1400 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
151W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB60R190
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IPB60R190C6ATMA1
Hoja de datos HTML
IPB60R190C6ATMA1-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB60R190C6ATMA1DKR
IPB60R190C6INTR-DG
INFINFIPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6ATMA1TR
IPB60R190C6
2156-IPB60R190C6ATMA1
IPB60R190C6INCT
SP000641916
IPB60R190C6INDKR
IPB60R190C6INDKR-DG
IPB60R190C6INCT-DG
IPB60R190C6INTR
IPB60R190C6ATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FCB20N60FTM
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
2398
NÚMERO DE PIEZA
FCB20N60FTM-DG
PRECIO UNITARIO
2.61
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
TK20G60W,RVQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
TK20G60W,RVQ-DG
PRECIO UNITARIO
1.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STB20N65M5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
845
NÚMERO DE PIEZA
STB20N65M5-DG
PRECIO UNITARIO
1.46
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
SIHB18N60E-GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
SIHB18N60E-GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.49
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STB21N65M5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1748
NÚMERO DE PIEZA
STB21N65M5-DG
PRECIO UNITARIO
2.31
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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