Número de Producto del Fabricante:
IPB65R045C7ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB65R045C7ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
13064014
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ENVIAR
IPB65R045C7ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ C7
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
46A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
45mOhm @ 24.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1.25mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4340 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB65R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB65R045C7ATMA1CT
2156-IPB65R045C7ATMA1TR
SP000929420
IPB65R045C7ATMA1TR
IPB65R045C7ATMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPB65R045C7ATMA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1636
NÚMERO DE PIEZA
IPB65R045C7ATMA2-DG
PRECIO UNITARIO
6.96
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
IPB60R060P7ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
891
NÚMERO DE PIEZA
IPB60R060P7ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.85
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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