Número de Producto del Fabricante:
IPB77N06S212ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB77N06S212ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 77A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
12804496
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ENVIAR
IPB77N06S212ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
77A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11.7mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 93µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1770 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
158W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB77N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB77N06S2-12
IPB77N06S2-12-DG
IPB77N06S212ATMA1TR
SP000218173
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PSMN7R6-60BS,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
7953
NÚMERO DE PIEZA
PSMN7R6-60BS,118-DG
PRECIO UNITARIO
0.65
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
PSMN015-60BS,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
11707
NÚMERO DE PIEZA
PSMN015-60BS,118-DG
PRECIO UNITARIO
0.51
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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