IPB80N06S2L06ATMA1
Número de Producto del Fabricante:

IPB80N06S2L06ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPB80N06S2L06ATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventario:

12801030
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IPB80N06S2L06ATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6mOhm @ 69A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 180µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3800 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB80N

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB80N06S2L-06-DG
IPB80N06S2L-06
IPB80N06S2L06ATMA1TR
SP000218163

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
BUK966R5-60E,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
4779
NÚMERO DE PIEZA
BUK966R5-60E,118-DG
PRECIO UNITARIO
0.89
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPB80N06S2L06ATMA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
320
NÚMERO DE PIEZA
IPB80N06S2L06ATMA2-DG
PRECIO UNITARIO
1.24
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
STB150NF55T4
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
969
NÚMERO DE PIEZA
STB150NF55T4-DG
PRECIO UNITARIO
1.68
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STB85NF55T4
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
998
NÚMERO DE PIEZA
STB85NF55T4-DG
PRECIO UNITARIO
1.22
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
PSMN7R6-60BS,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
7953
NÚMERO DE PIEZA
PSMN7R6-60BS,118-DG
PRECIO UNITARIO
0.65
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IPD5N25S3430ATMA1

MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3

infineon-technologies

BSP322PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4

infineon-technologies

IPB65R190C6ATMA1

MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK

infineon-technologies

IPC60R190E6X1SA1

MOSFET N-CH BARE DIE