Número de Producto del Fabricante:
IPB80N06S2L07ATMA3
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB80N06S2L07ATMA3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
12803614
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ENVIAR
IPB80N06S2L07ATMA3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3160 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
210W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB80N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-IPB80N06S2L07ATMA3TR
SP001067890
IFEINFIPB80N06S2L07ATMA3
IPB80N06S2L07ATMA3CT-DG
IPB80N06S2L07ATMA3DKR
IPB80N06S2L07ATMA3TR-DG
448-IPB80N06S2L07ATMA3DKR
IPB80N06S2L07ATMA3CT
2156-IPB80N06S2L07ATMA3
IPB80N06S2L07ATMA3TR
448-IPB80N06S2L07ATMA3CT
IPB80N06S2L07ATMA3DKR-DG
IPB80N06S2L07ATMA3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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