Número de Producto del Fabricante:
IPB80P04P4L08ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB80P04P4L08ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Descripción Detallada:
P-Channel 40 V 80A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
12800357
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ENVIAR
IPB80P04P4L08ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 120µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5430 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB80P
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB80P04P4L08ATMA1-DG
SP000840208
448-IPB80P04P4L08ATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SQM50P04-09L_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
1501
NÚMERO DE PIEZA
SQM50P04-09L_GE3-DG
PRECIO UNITARIO
1.01
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPB80P04P4L08ATMA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
1996
NÚMERO DE PIEZA
IPB80P04P4L08ATMA2-DG
PRECIO UNITARIO
0.91
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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