Número de Producto del Fabricante:
IPB95R450PFD7ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB95R450PFD7ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 950 V 13.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
13001618
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ENVIAR
IPB95R450PFD7ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
950 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
450mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 360µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1230 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-IPB95R450PFD7ATMA1TR
448-IPB95R450PFD7ATMA1CT
448-IPB95R450PFD7ATMA1DKR
SP005547014
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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