Número de Producto del Fabricante:
IPBE65R190CFD7AATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPBE65R190CFD7AATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 14A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-11
Inventario:
12953700
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPBE65R190CFD7AATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 320µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1291 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
77W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7-11
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
IPBE65
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
448-IPBE65R190CFD7AATMA1CT
448-IPBE65R190CFD7AATMA1TR
2156-IPBE65R190CFD7AATMA1
SP005398486
448-IPBE65R190CFD7AATMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TK12J60W,S1VE(S
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
IRFBC40PBF
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
IRFB9N60A
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
